过程检测设备 · MSP 系列
随着 SiC 材料在电力电子、高温电源、汽车电子、航空航天等领域的大规模应用，SiC 晶圆质量直接决定器件在极端工况下的性能和可靠性。
在生产线上对 SiC 晶圆进行高速、稳定的缺陷检测，已经成为保障产品质量与良率的关键环节。
MSP260
化合物半导体宏观缺陷检测设备&适用样品与典型缺陷
- SiC 衬底片：
颗粒、微管、划伤、包裹、凹坑、杂晶、多型、颜色异常、未磨平、崩边/裂纹等 - SiC 外延片：
颗粒、微管、凹坑、杂晶、多型、颜色异常、崩边/裂纹、三角形缺陷、downfall、胡萝卜缺陷等 - 经 KOH 腐蚀后的 SiC 衬底片 / 外延片：
微管、基平面位错、螺位错、刃位错等晶体结构缺陷
MS/P 系列是鉴微半导体面向 SiC 衬底片与外延片开发的高速宏观缺陷检测平台，覆盖来料、外延、KOH 腐蚀等多个关键工艺节点，帮助客户在生产前段及时发现问题、控制良率风险。
核心优势
| 样品类型 | 可检测缺陷 |
| SiC衬底片 | 颗粒，微管，划伤，包裹，凹坑，杂晶，多型，颜色异常，未磨平，崩边裂纹等 |
| SiC外延片 | 颗粒，微管，凹坑，杂晶，多型，颜色异常，崩边裂纹，三角形，downfall，胡萝卜等 |
| 经过KOH腐蚀后的SiC衬底片、外延片 | 微管，基平面位错，螺位错，刃位错等 |
| 支持 6 / 8 英寸 SiC 晶圆及其他规格，更多样品类型可按需定制检测方案 | |
- 高速率检测，适配量产产线
- 采用高速数据采集与并行计算架构
- 支持 SiC 衬底片、外延片批量在线 / 离线检测
- 在保证检测精度的前提下，显著缩短检测周期，提升产线吞吐量
- 多种照明组合，覆盖复杂缺陷形态
- 集成明场、暗场、偏振等多种照明方式
- 针对不同缺陷类型灵活切换或组合使用
- 提升对细微、低对比度缺陷的可见性与可检出率
- 深度学习驱动的缺陷识别与分类
- 引入深度学习算法，对多种缺陷进行自动识别和分类
- 降低人为主观判断差异，提升检测的一致性与稳定性
- 支持与客户工艺需求匹配的缺陷标签定制与持续迭代
- 并行处理架构，算法与采集同步进行
- 图像采集与算法分析并行运行
- 有效缩短单片检测时间
- 为未来更高分辨率、更高精度的检测需求预留算力空间
- 高度可定制化的平台能力
- 量身定制检测流程、缺陷规则、报表格式
- 支持与 MES / 产线自动化系统对接
- 根据客户工艺和良率目标，提供整体解决方案而非单一设备
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