终检设备

MI系列产品是鉴微半导体自主研发的针对SiC衬底片、外延片的高速率缺陷终检设备。该系列产品具有以下特点：

1.多模态检测方式，覆盖多类缺陷

• 设备集成 大角度暗场散射、小角度暗场散射、可见光光致发光、近紫外光致发光、微分干涉、径向表面、切向表面、明场反射 等多种照明与成像通道。
• 多模态组合能够兼顾表面、体内及应力等不同维度信息，适配多类型缺陷检测需求，大幅提升检测的全面性与准确性。

2.高速率终检能力，匹配量产节奏

• 通过先进的光学探测架构与高速数据采集、处理技术，MI 系列可在保持检测精度的前提下实现高吞吐量终检，帮助客户提高整线产能、缩短检测节拍。

3.深度学习驱动的缺陷检测与分类

• 设备内置基于深度学习的缺陷识别与分类算法，能够对多种典型缺陷进行自动识别、标注与分类，实现更稳定的一致性和更高的检出精度，减少人为主观差异。

核心优势

检测类型：

样品类型	可检测缺陷
SiC衬底片	颗粒，微管，划伤，包裹，凸起，凹坑，絮状物，晶界，堆叠层错等
SiC外延片	颗粒，微管，划伤，凸起，凹坑，三角形，掉落物，胡萝卜，台阶聚集，晶界，堆叠层错，基平面位错等

检测效果展示：

典型缺陷示例：

     

应用价值与发展方向

以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体材料，凭借在高压、高频和高温工况下的优异性能，已广泛应用于大功率高频电子器件、电动汽车 PCU、光伏逆变器、轨道交通电源控制系统等领域。SiC 器件能够在更小体积下实现更高功率密度，是推动电力电子产业升级的关键技术之一。

未来，随着 SiC 材料逐步从高端走向规模化、平民化，其应用市场将持续快速增长，对检测设备在精度、效率与智能化水平上的要求也会不断提升。
鉴微半导体将继续深耕第三代半导体检测领域，加快终检设备的国产化与迭代升级，为客户提供更高性能的检测解决方案，为我国半导体及相关产业的发展持续贡献力量。