过程检设备

SiC材料具有高热导率、高电子迁移率等特点,因此在电力电子、高温电源、航空航天等领域有着广泛应用。而SiC晶圆的质量,直接关系到相关器件在这些领域的性能表现。因此,在生产过程中对SiC晶圆进行高速、高效的缺陷检测,是保证产品质量的关键环节。

MSP260

化合物半导体宏观缺陷检测设备

样品类型可检测缺陷
SiC衬底片颗粒,微管,划伤,包裹,凹坑,杂晶,多型,颜色异常,未磨平,崩边裂纹等
SiC外延片颗粒,微管,凹坑,杂晶,多型,颜色异常,崩边裂纹,三角形,downfall,胡萝卜等
经过KOH腐蚀后的SiC衬底片、外延片微管,基平面位错,螺位错,刃位错等

MS/P系列产品是鉴微半导体自主研发的针对SiC衬底片、外延片的高速率宏观缺陷检测设备。该系列产品具有以下特点:

1. 高速率检测:设备采用先进的数据采集和处理技术,能够快速准确地检测SiC衬底片、外延片的缺陷,提高生产效率。

2. 多种照明方式:设备集合明场、暗场、偏振等多种照明方式,可以适应不同类型的缺陷检测需求,提高检测的全面性和准确性。

3. 基于深度学习的缺陷检测分类算法:设备采用先进的深度学习算法,能够准确地识别各种类型的缺陷,提高检测的精度和稳定性。

4. 并行处理能力:设备能够并行数据采集和算法分析,大大缩短了检测周期,提高了生产效率。

5. 可定制化:MS/P系列产品可以根据客户的具体需求进行定制,提供个性化的解决方案,满足不同客户的需求。

MS/P系列产品是一款高性能、高效率的SiC衬底片、外延片宏观缺陷检测设备,其高效的处理能力、定制化的服务以及深度学习等人工智能技术在半导体检测领域的应用,展现了信息化与工业化深度融合的最新成果。这不仅能够满足国内外的市场需求,帮助客户提高生产效率,降低生产成本,提高产品质量,而且有助于推动中国半导体产业的自主创新和技术进步。

在未来,随着SiC材料在更多领域的应用和半导体技术的不断进步,对检测设备的精度和效率要求也会越来越高。鉴微半导体将继续加大研发力度,推动检测设备的智能化、精准化和自动化水平更上层楼,以满足不断增长的市场需求,为国家半导体及相关产业的发展贡献力量。

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