膜厚量测设备

SiC材料具有高热导率、高电子迁移率等特点,因此在电力电子、高温电源、航空航天等领域有着广泛应用。而SiC晶圆的质量,直接关系到相关器件在这些领域的性能表现。因此,在生产过程中对SiC晶圆进行高速、高效的缺陷检测,是保证产品质量的关键环节。

Hawking系列

化合物半导体膜厚检测设备

样品类型可检测缺陷
SiC衬底片颗粒,微管,划伤,包裹,凹坑,杂晶,多型,颜色异常,未磨平,崩边裂纹等
SiC外延片颗粒,微管,凹坑,杂晶,多型,颜色异常,崩边裂纹,三角形,downfall,胡萝卜等
经过KOH腐蚀后的SiC衬底片、外延片微管,基平面位错,螺位错,刃位错等

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