终检设备

MI系列产品是鉴微半导体自主研发的针对SiC衬底片、外延片的高速率缺陷终检设备。该系列产品具有以下特点：

1. 多模态检测方式：该设备集合大角度暗场散射，小角度暗场散射，可见光光致发光，近紫外光致发光，微分干涉，径向表面，切向表面，明场反射等多种照明探测方式，可以适应不同类型的缺陷检测需求，提高检测的全面性和准确性。
2. 高速率检测：设备采用先进的光学探测方案及高速数据采集处理技术，能够快速准确地检测SiC衬底片、外延片的缺陷，提高生产效率。
3. 基于深度学习的缺陷检测分类算法：设备采用先进的深度学习算法，能够准确地识别各种类型的缺陷，提高检测的精度和稳定性。

检测类型：

样品类型	可检测缺陷
SiC衬底片	颗粒，微管，划伤，包裹，凸起，凹坑，絮状物，晶界，堆叠层错等
SiC外延片	颗粒，微管，划伤，凸起，凹坑，三角形，掉落物，胡萝卜，台阶聚集，晶界，堆叠层错，基平面位错等

检测效果展示：

典型缺陷示例：

      以碳化硅为代表的第三代半导体材料，由于其在高压、高频电阻等方面的优异特性广泛应用于大功率高频电子器件、电动汽车PCU、光伏逆变器、轨道交通电源控制系统等领域。能够起到减小器件体积、提高功率密度的作用，成为推进电力电子产业发展的关键。

      未来，随着碳化硅材料逐渐走向平民化，其应用市场也将随之快速发展，对检测设备精度和效率的要求也会越来越高。鉴微半导体将持续深耕三代半领域，推动检测设备的国产化，以满足不断增长的市场需求，为国家半导体及相关产业的发展贡献力量。