膜厚量测设备

Hawking系列

晶圆膜厚测量或光伏电池膜厚测量

分为手动式N-20/N-20Pro与自动式N-30。

手动式:NS-20

  • 手动测量,极高灵活度
  • 标准版光斑0.8~1.5 mm
  • 可升级到0.2 mm 微小光斑(NS-20 Pro)
  • 可定制便携手提箱,随时随地进行膜厚分析
  • 可选配大尺寸样品台

NS-20系列 参数规格

型号NS-20UVNS-20NS-20NIR
波长范围190 nm – 1100 nm380 nm – 1050 nm950 nm – 1700 nm
厚度测量范围11 nm – 40 μm15 nm – 80 μm150 nm – 250 μm
准确度21 nm 或 0.2%2 nm 或 0.2%3 nm 或 0.4%
精度30.02 nm0.02 nm0.1 nm
稳定性40.05 nm0.05 nm0.12 nm
光斑大小1.5 mm1.5 mm1.5 mm
测量速度< 1s(单次测量)< 1s(单次测量)< 1s(单次测量)
光源卤钨灯 + 氘灯卤钨灯卤钨灯
样品尺寸直径从1mm 到 300mm或更大直径从1mm 到 300mm或更大直径从1mm 到 300mm或更大

1 取决于具体材料

2 Si/SiO2(500~1000nm)标样片

3 计算100次测量500nm SiO2标准片的1倍标准偏差,对20个有效测量日的1倍标准偏差取平均

4 计算100次测量500nm SiO2标准片的平均值,对20个有效测量日的平均值做2倍标准偏差

自动式:NS-30

  • 样品自动测量,平台尺寸100mm~450mm可选
  • 软件根据需求自动生成测量点位分布
  • 2D和3D测绘效果,包含厚度/折射率/反射率等信息
  • 可测量薄膜应力和表面弯曲(Stress/Bow)

NS-30系列 参数规格

型号NS-30UVNS-30NS-30NIR
波长范围190 nm – 1100 nm380 nm – 1050 nm950 nm – 1700 nm
厚度测量范围11 nm – 40 μm15 nm – 80 μm150 nm – 250 μm
准确度21 nm 或 0.2%2 nm 或 0.2%3 nm 或 0.4%
精度30.02 nm0.02 nm0.1 nm
稳定性40.05 nm0.05 nm0.12 nm
光斑大小1.5 mm1.5 mm1.5 mm
测量速度< 1s(单次测量)< 1s(单次测量)< 1s(单次测量)
光源卤钨灯 + 氘灯卤钨灯卤钨灯
样品尺寸直径从1mm 到 300mm或更大直径从1mm 到 300mm或更大直径从1mm 到 300mm或更大

1 取决于具体材料

2 Si/SiO2(500~1000nm)标样片

3 计算100次测量500nm SiO2标准片的1倍标准偏差,对20个有效测量日的1倍标准偏差取平均

4 计算100次测量500nm SiO2标准片的平均值,对20个有效测量日的平均值做2倍标准偏差

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